3

Time-resolved photoluminescence studies of biexcitons in InP

Année:
1993
Langue:
english
Fichier:
PDF, 161 KB
english, 1993
4

Growth of (GaAs)1−x(Si2)x metastable alloys using migration-enhanced epitaxy

Année:
1991
Langue:
english
Fichier:
PDF, 396 KB
english, 1991
9

Electrical properties of antimony sulphoiodide (SbSI) thin films

Année:
1989
Langue:
english
Fichier:
PDF, 85 KB
english, 1989
28

I-V and C-V characteristics of ferroelectric SbSI (film)-Si-metal

Année:
1983
Langue:
english
Fichier:
PDF, 88 KB
english, 1983
29

I-V and C-V characteristics of ferroeletric SbSI(film)-Si-metal devices

Année:
1983
Langue:
english
Fichier:
PDF, 323 KB
english, 1983
35

Growth of (GaAs)1−x (Si2)x Metastable Alloys using Migration-Enhanced Epitaxy

Année:
1991
Langue:
english
Fichier:
PDF, 296 KB
english, 1991
38

3.1×105 cm2/Vs peak electron mobilities in InP grown by chemical beam epitaxy

Année:
1993
Langue:
english
Fichier:
PDF, 300 KB
english, 1993